Das in den letzten Jahren abgeschlossene Chip-MBE-Projekt

Technologie

Die Molekularstrahlepitaxie (MBE) ist eine neue Technik zum Züchten hochwertiger dünner Kristallschichten auf Kristallsubstraten. Unter Ultrahochvakuumbedingungen wird Dampf durch einen mit allen erforderlichen Komponenten ausgestatteten Heizofen erzeugt. Der Atom- oder Molekularstrahl wird durch die nach dem Kollimieren des Strahls gebildeten Löcher direkt auf das Einkristallsubstrat auf die entsprechende Temperatur injiziert. Gleichzeitig wird der Molekularstrahl gesteuert und das Substrat abgetastet. Dadurch können die Moleküle oder Atome in den Kristallausrichtungsschichten zu dünnen Schichten auf dem Substrat „wachsen“.

Für den normalen Betrieb von MBE-Geräten ist es erforderlich, hochreinen, unter niedrigem Druck stehenden und ultrareinen Flüssigstickstoff kontinuierlich und stabil in die Kühlkammer des Geräts zu transportieren. Im Allgemeinen hat ein Tank, der Flüssigstickstoff bereitstellt, einen Ausgangsdruck zwischen 0,3 MPa und 0,8 MPa. Flüssigstickstoff verdampft bei -196 °C während des Transports durch die Pipeline leicht zu Stickstoff. Sobald der Flüssigstickstoff mit einem Gas-Flüssigkeits-Verhältnis von etwa 1:700 in der Pipeline vergast wird, nimmt er einen großen Teil des Strömungsraums für Flüssigstickstoff ein und reduziert den normalen Durchfluss am Ende der Flüssigstickstoff-Pipeline. Darüber hinaus befinden sich im Flüssigstickstoff-Speichertank häufig nicht gereinigte Rückstände. In der Flüssigstickstoff-Pipeline führt feuchte Luft zudem zur Bildung von Eisschlacke. Gelangen diese Verunreinigungen in die Anlage, verursacht dies unvorhersehbare Schäden an der Anlage.

Daher wird der flüssige Stickstoff im Außenlagertank mit hoher Effizienz, Stabilität und Sauberkeit zur MBE-Ausrüstung in der staubfreien Werkstatt transportiert. Der niedrige Druck, kein Stickstoff, keine Verunreinigungen und ein 24-stündiger ununterbrochener Betrieb machen dieses Transportkontrollsystem zu einem qualifizierten Produkt.

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Passende MBE-Ausrüstung

Seit 2005 optimiert und verbessert HL Cryogenic Equipment (HL CRYO) dieses System und arbeitet mit internationalen MBE-Geräteherstellern zusammen. MBE-Gerätehersteller wie DCA und REBER arbeiten mit unserem Unternehmen zusammen. MBE-Gerätehersteller wie DCA und REBER haben bereits bei zahlreichen Projekten mit uns zusammengearbeitet.

Riber SA ist ein weltweit führender Anbieter von Molekularstrahlepitaxie (MBE)-Produkten und zugehörigen Dienstleistungen für die Verbindungshalbleiterforschung und industrielle Anwendungen. Das Riber MBE-Gerät kann sehr dünne Materialschichten mit höchster Kontrolle auf dem Substrat abscheiden. Die Vakuumanlage von HL Cryogenic Equipment (HL CRYO) ist mit Riber SA ausgestattet. Das größte Gerät ist der Riber 6000 und das kleinste der Compact 21. Es befindet sich in gutem Zustand und wird von den Kunden geschätzt.

DCA ist die weltweit führende Oxid-MBE. Seit 1993 werden systematisch Oxidationstechniken, die antioxidative Substraterhitzung und antioxidative Quellen entwickelt. Aus diesem Grund haben sich viele führende Labore für die DCA-Oxidtechnologie entschieden. Verbundhalbleiter-MBE-Systeme werden weltweit eingesetzt. Das VJ-Flüssigstickstoff-Zirkulationssystem von HL Cryogenic Equipment (HL CRYO) und die MBE-Ausrüstung verschiedener DCA-Modelle verfügen über die entsprechende Erfahrung aus zahlreichen Projekten, wie z. B. den Modellen P600, R450, SGC800 usw.

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Leistungstabelle

Shanghai Institute of Technical Physics, Chinesische Akademie der Wissenschaften
Das 11. Institut der China Electronics Technology Corporation
Institut für Halbleiter, Chinesische Akademie der Wissenschaften
Huawei
Alibaba DAMO Akademie
Powertech Technology Inc.
Delta Electronics Inc.
Suzhou Everbright Photonics

Veröffentlichungszeit: 26. Mai 2021

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